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성대·삼성전자 연구팀, 이산화탄소 이용 그래핀 형성

(서울=연합뉴스) 이태수 기자 = 성균관대는 에너지과학과 마크 러벨리 교수와 삼성전자 종합기술원 손인혁 박사 연구팀이 이산화탄소를 이용해 '그래핀'을 형성하는 기술을 개발했다고 12일 밝혔다.

그래핀은 전기가 잘 통하고 뛰어난 탄성을 지닌 데다가 기존의 물질보다 10배 이상 열전도도가 높아 여러 분야에서 주목받는 신소재다.

연구팀은 이산화탄소를 이용해 니켈 표면을 약한 산화층으로 만드는 방법으로 저온 고결정성 그래핀을 만들어냈다. 지금까지는 그래핀의 합성 온도가 지나치게 높다는 점이 그래핀 합성 연구의 대표적인 난제로 꼽혀 왔다고 성균관대는 설명했다.

이번 연구는 삼성전자와 기초과학연구원의 지원으로 이뤄졌으며, 미국 화학 학회가 발간하는 국제 학술지 'ACS 나노(NANO)'에 실렸다.

성균관대는 "지구온난화의 주범인 이산화탄소를 이용해 그래핀 형성을 조절했다는 점에서 혁신적인 연구로 평가된다"고 의의를 밝혔다.

tsl@yna.co.kr

<저작권자(c) 연합뉴스, 무단 전재-재배포 금지> 2014/09/12 10:19 송고

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